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更小面积,更强性能 -- 三星推出8nm射频工艺技术

2021-06-09 10:00 13107
今日,三星宣布开发新一代“8纳米射频(RF)工艺技术”,强化5G通信芯片的解决方案。

韩国首尔2021年6月9日 /美通社/ -- 今日,三星宣布开发新一代“8纳米射频(RF)工艺技术”,强化5G通信芯片的解决方案。

三星半导体韩国H3晶圆代工厂全景
三星半导体韩国H3晶圆代工厂全景

这种先进的制造技术支持5G通信的多通道和多天线芯片设计,期待为5G通信提供单芯片的解决方案(One Chip Solution)。三星的8nm RF平台扩展计划,有望增强从Sub-6GHz到毫米波(mmWave)应用的5G半导体代工市场地位。

三星8nm RF是从已有28nm14nm RF代工解决方案拓展的新一代工艺技术。自2017年至今,三星以高端智能手机为主,已生产了超过5亿颗的RF 芯片,在RF芯片代工市场拥有了一席之地。

“通过技术创新和制造工艺的精益求精我们推出了下一代无线通信的代工技术方案,”三星电子代工技术开发团队负责人Hyung Jin Lee表示“随着5G毫米波的应用扩大,三星的8nm RF技术为客户提供更好的解决方案,满足客户不断提升的用户体验,在小的芯片上提供更长的电池使用时间,高质量的通信信号。”

三星新一代RFeFET™ 器件结构

RF芯片把接受的射频信号转换数字信号用于数字处理,把处理后的数字信号转换为射频信号用于发射。RF工艺技术中,模拟/RF器件性能和数字器件性能都非常重要。

随着半导体工艺节点的缩微,数字电路在性能,功耗和面积上都有显著改善,然而模拟/RF 模块由于寄生特性难以缩微。由于线宽较窄,导致电阻增加,RF信号放大性能减弱,功耗增加,RF芯片整体性能下降。

为了克服模拟/RF电路在工艺缩微时的技术挑战,三星开发了一种名为“RFeFET™(RF extremeFET)”的独特RF器件结构,新的结构只在8nm RF平台上提供,新的RF器件使用小的功率就能提升RF性能。与此前的14nm工艺相比,三星“RFeFET™(RF extremeFET)”可以帮忙数字电路的缩微,同时提升模拟/RF性能,提供高性能的5G技术平台。

工艺优化包括增加电子迁移率,降低寄生参数。由于RFeFET™的性能的提升,射频芯片中晶体管的总数可以减少,模拟电路的面积可以减少。

由于三星“RFeFET™(RF extremeFET)”的创新,与此前的14nm工艺相比,三星的8nm RF工艺可减少约35%的射频芯片面积,且能效也有约35%的提升。

*本广告中的产品图片以及型号、数据、功能、性能、规格参数、特点和其他产品信息(包括但不限于产品的优势、组件、性能、可用性和能力)等仅供参考,三星有可能对上述内容进行改进,且均无需通知或不受约束即可变更,具体信息请参照产品实物、产品说明书。除非经特殊说明,本广告中所涉及的数据均为三星内部测试结果,本广告中涉及的对比均为与三星产品相比较。

 

 
消息来源:Samsung Electronics Co., Ltd.
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