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江波龙电子DDR5内存横空出世,多项实测数据首次对公众开放

2021-03-17 15:44 1672
江波龙电子紧跟存储技术发展前沿,为了满足行业的专业人士以及广大用户对未来产品技术发展的期望,进而为存储行业应用的未来提供更多可能性,在今天正式发布Longsys DDR5内存模组产品(ES1)。

深圳2021年3月17日 /美通社/ -- 2021年是DDR内存技术升级换代的快速发展阶段,自2020年以来,5G、AI、汽车、电竞市场需求的居高不下,加速推动了DDR产品迭代以及技术升级。2020年7月中旬JEDEC固态存储协会正式发布DDR5 SDRAM内存标准规范后,DDR5新技术应用受到业内的关注以及专业领域的探索。

江波龙电子(以下简称“Longsys”)紧跟存储技术发展前沿,为了满足行业的专业人士以及广大用户对未来产品技术发展的期望,进而为存储行业应用的未来提供更多可能性,在今天正式发布Longsys DDR5内存模组产品(ES1)。此外,Longsys旗下技术型存储品牌FORESEE以及高端消费类存储品牌Lexar雷克沙也将为各自主要应用领域提供强有力的支持。

江波龙电子DDR5内存产品
江波龙电子DDR5内存产品

DDR5内存速率最高可达6400Mbps
DDR4的两倍

此次DDR5的产品发布,涉及两款全新架构产品原型,分别是1Rank x8和2Rank x8标准型PC Unbuffered DIMM 288PIN On-die-ECC。相较于DDR4,DDR5在功能和性能上都得到了显著提升。

产品系列 

DDR5 UDIMM

DDR5 UDIMM

容量

16GB

32GB

设计参考

JEDEC R/C A 0.50

JEDEC R/C B 0.51

设计架构

1Rank x8 / 288PIN

2Rank x8 / 288PIN

速度

4800Mbps

4800Mbps

延迟时序

CL 40

CL 40

VDD/VDDQ/VPP

1.1V/1.1V/1.8V

1.1V/1.1V/1.8V

工作温度

0摄氏度 ~ +95摄氏度

0摄氏度 ~ +95摄氏度

储存温度

-55摄氏度 ~ +100摄氏度

-55摄氏度 ~ +100摄氏度

DRAM P/N

MT60B2G8HB-48B:A

MT60B2G8HB-48B:A

DRAM 密度

16Gb(2Gx8)

16Gb(2Gx8)

PCB Layout

8 Layer

8 Layer

PCB 尺寸

133.35 * 31.25 * 1.27 mm

133.35 * 31.25 * 1.27 mm

全方位数据测试
性能稳定突出

Longsys DRAM研发经过多年的潜心积累,在DDR5新一代产品上率先开展测试技术投入,此次测试特别选取了部分测试数据首次面向公众开放。其中,展示的测试实例采用了Intel AlderLake-S ADP-S CRB开发板,搭配Longsys DDR5 32GB内存模组,并配置Windows 10 Pro x64操作系统,分别通过鲁大师和AIDA64两个熟知的软件展示DDR5的真实数据。

通过BIOS了解到DDR5新架构采用了两个完全独立的32位通道
通过BIOS了解到DDR5新架构采用了两个完全独立的32位通道

1 鲁大师测试数据

首先呈现的是硬件配置,内存识别为Longsys ID。

通过鲁大师测试,Longsys DDR5 32GB的跑分高达19万分有余。

2 AIDA64测试数据

通过测试,能够获取到Longsys DDR5 32GB读/写/拷贝/延迟的性能跑分。


为了更加直观地体现性能的提升力度,还加入了DDR4的测试对比。根据数据显示,Longsys DDR5在性能上实现了跨越式提升。

Production

Longsys DDR5
32GB 4800

Longsys DDR4
32GB 3200

各指标性能提升能力

CL

40

22

AIDA64

Read

35844

25770

40%

Write

32613

23944

36%

Copy

28833

25849

11%

Latency

112.1

56.8

--

鲁大师

内存跑分

193864

91757

110%

核心指标揭秘

Longsys DDR5新技术强大之处

功能/指标

技术/参数

纠错模式

支持On-die-ECC

预取模式

支持16n Prefetch模式(BL16)

端到端接收模式

扩展增加CA/CS类信号ODT

均衡模式

支持DFE技术(增强信号完整性)

电源管理模式

增加PMIC集成功能

刷新模式

支持SAME-BANK Refresh技术

通道模式

内置独立双通道机制

阵列分层模式

支持8个BG,共32个Banks

纠错能力增加
在优化DDR5 DRAM内核运算能力上,Longsys DDR5增加内置纠错码(ECC),全面实现数据纠错能力,进一步提高数据完整性,同时也缓解了系统错误校正负担并充分利用DRAM读写的高效机制。

增加16n的预取模式
BL16使得Longsys DDR5内存的并发性在DDR4的基础上提升了一倍,信号能够更完整高效地传递。本次DDR5 DIMM新架构采用了两个完全独立的32位通道,提高了并发性,并使系统中可用的内存通道增加了一倍。

端到端的接收模式的强化
在DDR5新技术应用中除了DQ/DQS/DM继续采用ODT功能,增加CA、CS类信号也使用了ODT。因此,Longsys DDR5内存进一步减少了信号脉冲的反射干扰效应,让信号传输更加纯净。

DDR5 Bank Group 翻倍
DDR5内存使Bank Group的数量增加了一倍,并且每个Group的Bank数量保持不变。Longsys DDR5 BG提供更少的访问延迟,加倍提高了系统的整体效率,允许更多页面同时被打开。

SAME-BANK Refresh刷新模式
Longsys DDR5根据标准还实现了一个新特性,称为SAME-BANK Refresh(同步刷新)。此命令允许刷新每个BG中的一个Bank,使所有其他Banks保持打开状态以继续正常操作。

FORESEE DDR5 内存模组产品(ES1)

未来的应用场景不断革新和进步,对存储技术提出了更严苛的要求,亦大大加速了DDR5发展进程,各大主流平台对于DDR5的支持也推进迅速。Intel方面预计今年第三季度就有支持DDR5的平台上市。而驱动DRAM内存市场向DDR5升级的动力来自对带宽有强烈需求的专业应用领域,比如服务器、云计算、数据中心、高性能计算机等应用领域均有望得到重点部署,此次迭代也为行业客户提供了更出色的内存解决方案。

Lexar雷克沙 DDR5 内存模组产品(ES1)
随着全球大量资本进入电竞市场,促进了电竞行业日渐普及与成熟,这也让电竞玩家对内存等电脑配件的性能有了更高的追求。而Lexar雷克沙 DDR5的面世,不仅能够助力电竞玩家拥有更流畅的电竞体验,亦能带动电竞行业的可持续性发展。非但如此,对于白领用户,特别是设计师、剪辑师等对设备性能有刚需的职业,Lexar雷克沙DDR5可有效提高办公效率,将更多时间留给创造性工作。

结语

尽管Longsys内存产品线起步较晚,但能够在技术创新的征途上愈战愈勇,源于Longsys专注存储行业20余年的技术底蕴,以及打造高品质存储产品的决心。截止2021年3月12日,Longsys申请专利总数达到838个,其中境外专利申请178项;已授权且维持有效专利411项、其中境外授权且维持有效专利83项;软件著作权65项。在紧握自主创新能力的同时,注重对知识产权的保护。

今年,Longsys内存产品线仍将精益求精,持续提供更多的DDR5产品规格和技术服务,助力行业客户、终端用户投入DDR5到未来的应用场景中,为存储生态领域增添色彩。

消息来源:江波龙电子
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