上海2015年3月16日电 /美通社/ -- 随着半导体集成电路产业的飞速发展，为了克服随着技术节点减小带来的阻容迟滞（RC Delay），铜低k / 超低k 介质互连结构被引入半导体工业中。因为低k / 超低k 介质材料脆弱的机械性能，阻碍其被广泛应用于半导体器件量产中。
“盛美最新开发的无应力抛光（the Ultra SFP）设备，能够对于28nm至40nm及以下节点铜低k/超低k互联结构进行无应力，无损伤的抛光。”盛美半导体设备公司的创始人、首席执行官王晖博士说，“该设备整合了无应力抛光工艺（SFP），热气相蚀刻工艺 （TFE）；并且可以和现有生产线所使用的传统化学机械研磨工艺（CMP）无缝衔接，在下一代工艺技术节点应用中，无需对现有 CMP 设备进行升级改造；利用其各自独特的工艺优点，确保整个工艺对铜互连结构无任何损伤。”
无应力抛光设备应用于铜低k / 超低k 互连结构有诸多优点：其一，依靠抛光自动停止原理，平坦化工艺后凹陷更均匀及精确可控；其二，工艺简单，采用环保的可以循环实用的电化学抛光液，没有抛光垫，研磨液等，耗材成本降低50%以上；对互联结构中金属层和介质层无划伤及机械损伤；其三，可以将工艺扩展至新型材料钴（Co）和钌（Ru）作为阻挡层的铜低k / 超低k 互联结构中。
