加州圣塔克拉拉和加州桑尼维尔11月16日电 /新华美通/ -- 领先的世界级 ASIC 设
计代工厂与半导体 IP 供应商芯原股份有限公司（VeriSilicon Holdings Co., Ltd.，简
称芯原）和业界领先的高密度系统芯片 (SoC) 嵌入式内存解决方案供应商 MoSys, Inc.
（纳斯达克交易代码：MOSY）今天宣布，双方正在合作通过向芯原的客户提供无缝式的专
利技术利用以进一步拓展 MoSys 的受到欢迎的 1T-SRAM 技术的采用。
根据双方达成的合作协议，芯原将把 1T-SRAM 能力纳入其知识产权 (IP) 产品组合
当中，用于客户在多个代工厂的系统芯片设计。
芯原是一家无晶圆 ASIC 设计代工厂，致力于提供同类最优垂直平台解决方案、系统
知识和服务，以帮助系统芯片客户从芯片规格走向生产。在这种合作关系下，客户目前有
权选择与芯原直接合作来把 MoSys 的创新型内存技术整合进他们的设计当中，这些设计
涉及众多代工厂的选择以及高级加工工艺（如90纳米）。通过利用 MoSys 的已经获得专
利的 1T-SRAM 超高密度内存产品，客户能够大大降低他们的硅成本，同时维持高性能和
低功耗。
MoSys 首席执行官 Chet Silvestri 表示：“我们很高兴能够与芯原合作把我们的技
术推广给更多的客户。过去几年里，芯原凭借在其全球惊人的客户群中的成功历史已经荣
获了无数行业大奖。我们预计，我们领先的内存技术与芯原领先的 ASIC 能力的结合，将
为无数种应用产品带来独一无二的较佳硅解决方案。”
芯原 WW sales & marketing 部门公司副总裁 Federico Arcelli 指出：“我们与
MoSys 进行合作代表了芯原为客户提供一站式解决方案，以满足他们的 IP 和全包需求。
通过与像 MoSys 这样的技术领导厂商进行合作，我们的客户还能够利用我们的其他 IP
产品和设计服务来开发硅领域最具竞争性的解决方案，并为满足他们最严苛的产品需求提
供支持。”
芯原简介
芯原股份有限公司是领先的世界级 ASIC 设计代工厂，凭借支持下至90纳米的工艺技
术的多家晶圆代工厂的能力，提供库、半导体 IP、设计和一站式制造服务。通过利用亚
太地区和中国的领先的晶圆代工厂，芯原已经取得了首个硅领域的成功，并且开始大量生
产众多复杂的、百万门电路的系统芯片 (SoC)。芯原在美国、中国大陆、台湾、日本、法
国和韩国均设有运营部门。全球已有500多个客户获得使用芯原的 IP 和标准设计平台
(Standard Design Platform) 的授权。2005年，芯原在德勤中国高科技高成长50强
(Deloitte Technology Fast 50 China)（即中国成长较快的50家技术公司）排行榜中名
列第三，在德勤亚太地区高科技高成长500强 (Deloitte Fast 500 Asia Pacific)（即亚
太地区成长较快的500家技术公司）排行榜中位居第六。此外，该公司还获得了 Red
Herring 亚洲尚未上市企业100强企业 (Red Herring 100 Private Companies of Asia)
称号，并入选 EE Times 全球60家最具潜力半导体初创公司 (EE Times 60 Emerging
Startups)。欲知详情，请访问 http://www.verisilicon.com 。
MoSys Inc 简介
MoSys 创立于1991年，从事用于半导体的创新型内存技术的开发、授权和营销。
MoSys 获得专利的 1T-SRAM 技术可提供其它已推出的内存技术无法比拟的高密度、低功
耗、高速度以及低成本。用于 1T-SRAM 内存的单晶体管存储单元使得该技术在使用相同
的标准逻辑制造工艺时，实现比传统的四个或六个晶体管静态存储器 (SRAM) 更高的密
度。1T-SRAM 技术还可为与传统的静态存储器相关的随机地址访问周期提供熟悉的、无须
更新的接口和高性能。此外，与传统的静态存储器技术相比，这些技术能够降低4倍的操
作功耗，这使它们成为在系统芯片设计中嵌入较大容量的内存的理想之选。MoSys 的受权
商已经交付了1亿多个结合了 1T-SRAM 嵌入式内存技术的芯片，从而证明了其在各种硅工
艺和应用产品上极佳的生产能力。MoSys 总部位于 755 N. Mathilda Avenue,
Sunnyvale, California 94085。欲知详情，请访问 MoSys 的网站：
http://www.mosys.com 。
