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VisIC Technologies Ltd推出新一代产品,创造业界纪录

其氮化镓设备能以较高频率创造较高效率
VisIC Technologies Ltd
2016-06-06 09:00 7396
VisIC Technologies欣然宣布推出新一代高级低损耗开关V22S65A(配有内部碳化硅二极管)和V22N65A(不配有内部碳化硅二极管)。

以色列特拉维夫2016年6月6日电 /美通社/ -- VisIC Technologies欣然宣布推出新一代高级低损耗开关V22S65A(配有内部碳化硅二极管)和V22N65A(不配有内部碳化硅二极管)。

输入电压=401.219Vdc -- 输入电流=6.2362A -- 输出电压=229.626V -- 输出电流=10.822A -- 输入功率=2502W -- 输出功率=2485W -- 上升时间=11.5ns -- 下降时间=18.5ns -- 效率=99.3%

全开关产品

 

测试参数:-- 持续电流模式 -- 开关频率200khz -- 死区时间100ns

测试参数-持续电流模式- 开关频率200khz- 死区时间100ns- 输入电压 =401.219Vdc 输出电压=229.626V 输入功率=2502W 上升时间=11.5ns 效率=99.3% 输入电流=6.2362A 输出电流=10.822A 输出功率=2485W 下降时间=18.5ns

 

(图片:http://photos.prnewswire.com/prnh/20160603/375139
(图片:http://photos.prnewswire.com/prnh/20160603/375140

这一新版VisIC高级低损耗开关产品系列可以显著减少米勒效应(MILLER effect),支持轻松提供将被用于基于VisIC的设计的标准驱动电路。这些新设备还能帮助降低关于特殊应用所用材料的费用。

V22系列产品在拓扑方面非常有效,能够被用于零电压开关(Zero Voltage Switching)或零电流开关(Zero Current Switching)拓扑领域。在650伏氮化镓/碳化硅MOSFET晶体管中,该系列拥有较低的导通电阻(Rdson),而且可以凭借超过100V/nS的压摆率,实现效率超高的功率变换。

此外,由于阈值电压超过了5伏,新款设备在恶劣的EMI(电磁干扰)环境中也能很好地工作。

VisIC Technologies已经凭借其半桥(Half Bridge)演示电路板的强大性能,展示了其所创造的全球纪录 -- 在输出功率达2.5KW的硬切换拓扑中,频率达200 kHz时,较高效率超过99.3%

消息来源:VisIC Technologies Ltd
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