Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited已推出带并行接口的8Mbit FRAM MB85R8M2TA存储器，这也是Fujitsu首款支持100万亿次读/写周期的FRAM系列产品。评估样本目前已发布。
FRAM是一款非易失性存储产品，具有高读写耐久性、高速写入、低功耗等优点，已批量生产20多年。MB85R8M2TA存储器配有与SRAM兼容的并行接口，可在1.8V-3.6V的电源电压范围内工作。新款FRAM在快页模式下可实现25ns的访问时间，因此在持续数据传输时的访问速度可与SRAM相媲美。与Fujitsu的传统产品相比，该存储器实现了高速运行（访问速度提高约30%）和低功耗（工作电流减少10%）。这款存储器IC是SRAM的理想替代产品，可用于需要高速运行的工业机器。（美通社,2021年11月17日日本横滨）
