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五款晶圆首秀,英特尔展现制程工艺领导力

2017-09-21 15:34

北京2017年9月21日电 /美通社/ -- 在9月19日于北京举行的英特尔精尖制造日上,英特尔在其展示区域和主题演讲上展示了五款晶圆。这是英特尔首次公开展示这五款晶圆,彰显了英特尔在制造领域取得的巨大进步。

这五款晶圆包括:英特尔10纳米Cannonlake、英特尔10纳米Arm测试芯片、英特尔22FFL、14纳米展讯SC9861G-IA和14纳米展讯SC9853I。

英特尔Cannonlake采用10纳米制程工艺,不仅拥有全球最密集的晶体管和金属间距,还采用了超微缩特性,这两大优势保证了密度的领先性,比竞争友商的“10 纳米”技术领先了整整一代,计划于2017年下半年开始生产。超微缩可释放出多模式方案的全部价值,使得英特尔得以继续摩尔定律的经济效益

英特尔10纳米Cannonlake
英特尔10纳米Cannonlake

英特尔与Arm在10nm的合作取得了长足进步。英特尔10nm CPU测试芯片流片具有先进的Arm CPU核, 使用行业标准的设计实现电子设计自动化(EDA)  Place and Route工具和流程性能高达3GHz以上。ARM同时正在开发高性能存储器、逻辑单元和CPU POP套件,以进一步扩展下一代ARM CPU在英特尔10nm技术上的性能水平。

英特尔10纳米Arm测试芯片
英特尔10纳米Arm测试芯片

-   ARM Cortex A75: Intel 10nm 测试芯片

  • 在12周内从RTL 至首次Tape Out
  • 标准英特尔10nm工艺
  • 最新的软件测试结果 > 3.3GHz
  • 250uW/MHz

英特尔22FFL(FinFET 低功耗)平台旨在推动FinFET的大规模应用。它具备:

英特尔 22FFL
英特尔 22FFL

卓越集成能力

  • 一流的 CPU 性能,主频超过 2 GHz
  • 超低功耗,漏电率降低 100 倍
  • 22 纳米+ 制程,每平方毫米 1,780 万个晶体管
  • 全面的 RF 设计支持

快速上市速度

  • 行业最易使用的FinFET 制程
  • 成熟生产平台,具备业经验证的22/14 纳米特性
  • 经过芯片验证的移动/物联网 IP 组合
  • Arm 库和 POP 套件
  • 英特尔架构处理器 IP 套件
  • 交钥匙代工服务与支持

Cost-effective的设计

  • 与业界28纳米的平面(planar)工艺相比在成本上极具竞争力
  • 单模式互联和宽泛的 DFM 规则
  • 无复杂的衬底偏压要求

理想应用

  • 入门级/经济型智能手机
  • 车载
  • 可穿戴设备

展讯的 SC9861G-IA 和 SC9853I 移动 AP 均使用英特尔的 14 纳米低功耗平台制造而成,这两款移动 AP 分别于 2017 年 3 月和 8 月推出,同时还使用了英特尔 Airmont CPU 架构。

14纳米展讯 SC9853I
14纳米展讯 SC9853I

 

14纳米展讯 SC9861G-IA
14纳米展讯 SC9861G-IA

英特尔的 14 纳米平台适用于制造需要高性能和低漏电功耗的产品

  • 第二代 FinFET 技术
  • 行业领先的 PPA,每平方毫米 3,750 万个晶体管
  • 一流的 CPU 性能,主频超过 2.5 GHz

快速上市速度

  • 业经验证的 14 纳米 HVM(大规模量产) 技术
  • 经过芯片验证的移动/网络 IP 组合
  • 交钥匙代工服务与支持

两个平台满足您的全部产品需求

  • 通用 (GP)
  • 低功耗 (LP)

理想应用

  • 主流移动
  • 数据中心
消息来源: 英特尔
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