中国武汉2014年6月26日电 /美通社/ -- 武汉新芯集成电路制造有限公司 (XMC)，一家领先的存储器产品晶圆制造商，今日宣布其所生产的第一片32nm闪存晶圆各项器件性能验证成功。这一结果是在2013年武汉新芯与 Spansion 宣布的一项共同研发协议后所实现的重要里程碑，它不仅标志了武汉新芯领先的工艺开发能力，还进一步凸显了该公司所实施的长期合作开发战略的优势。此项协议是武汉新芯与 Spansion 在65nm与45nm闪存技术合作上的持续延伸。
“这是对我们领先的32nm闪存技术的一次重要验证。我们对和武汉新芯持续且紧密的合作关系感到十分满意。武汉新芯在这一领域具备领先与成熟的制造能力。在未来，我们将为全球的客户群带来基于32nm工艺的高密度、快速读写的 Spansion 质量级别的各类产品。”Spansion 公司晶圆制造、企业质量和产品工程高级副总裁 Joe Rauschmayer 说道。
随着市场上设备的互联性的增加及各种带有精美图形和引人入胜的用户界面的日趋丰富，嵌入式应用中的闪存需求持续提升。以32nm工艺为基础的产品代表着 Spansion 第七代 MirrorBit 电荷捕获技术在浮栅技术之外提供了一个可扩展的选择。
“对于此次武汉新芯与 Spansion 合作取得的成果，我们感到十分骄傲，”武汉新芯公司市场与销售资深副总裁蓝华德博士表示，“我们在此次开发以及生产高质量的32nm硅片中所显示的能力，表明武汉新芯已经在将自己建设成全球顶级供应商以及世界级公司值得信赖的合作伙伴这一道路上取得了长足的进步。”
